Central Semiconductor CSD-8M
" (171048)Central Semiconductor（中央半导体）场效应管（MOSFET）选型表
Central Semiconductor serious about discrete semiconductors. Business is the pursuit of perfection in the devices we manufacture; the delivery of products; and the services provide; all the time, every time. To suit varying applications, products are available in surface mount, through-hole, and bare die.~~~~~~中央半导体认真对待分立半导体。商业是我们制造的设备追求完美；产品交付；以及所提供的服务；一直，每次。为了适应不同的应用，产品有表面安装、通孔和裸模。
Central Semiconductor（中央半导体） 晶闸管选型指南
Central Semiconductor serious about discrete semiconductors. Business is the pursuit of perfection in the devices we manufacture; the delivery of products; and the services provide; all the time, every time. To suit varying applications, products are available in surface mount, through-hole, and bare die.~~~~~~中央半导体认真对待分立半导体。商业是我们制造的设备追求完美；产品交付；以及所提供的服务；一直，每次。为了适应不同的应用，产品有表面安装、通孔和裸模。
CSD-8M CSD-8N SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT
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Central Semiconductor（中央半导体）双极型功率晶体管选型指南
Central Semiconductor serious about discrete semiconductors. Business is the pursuit of perfection in the devices we manufacture; the delivery of products; and the services provide; all the time, every time. To suit varying applications, products are available in surface mount, through-hole, and bare die.~~~~~~中央半导体认真对待分立半导体。商业是我们制造的设备追求完美；产品交付；以及所提供的服务；一直，每次。为了适应不同的应用，产品有表面安装、通孔和裸模。
SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT CSD-8M CSD-8N
技术信息：中央半导体氮化镓场效应晶体管的栅极驱动器建议
本资料推荐了与Central Semiconductor的GaN FET器件兼容的栅极驱动器。由于栅极驱动器规格对于Central的GaN FET器件的利用至关重要，因此对这些非Central Semiconductor制造的栅极驱动器进行了测试，并推荐用于以下列出的特定Central GaN FET器件。
CXTA14 NPN CXTA64 PNP SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: The Central Semiconductor CXTA14, CXTA64
Central Semiconductor Announces a Distribution Agreement with Avnet for the Americas
中央半导体的新肖特基桥整流器在低姿态BR DFN封装新闻稿
Central Semiconductor推出新型肖特基桥式整流器CBRDFSH系列，采用低剖面BR DFN封装，提供1.0A-2.0A、40V-100V选项。该系列器件具有高能效，利用玻璃钝化芯片降低漏电，提高性能和可靠性。正向电压低至500mV，适用于PoE、智能照明和电源适配器等空间节省型应用。
Central Semiconductor’s redesigned website helps designers find ideal solutions
Central has your custom solution
[EOL]中央半导体2N6071产品报废通知（PDN01148）
Central Semiconductor Corp.宣布，2N6071系列SCR在TO-126封装中的产品已停产，并进入生命终结（EOL）状态。尽管公司尽力继续生产其他制造商已宣布EOL的产品，但行业惯例是在客户需求低于最低可持续水平时停止某些产品的生产。因此，以下产品已转为EOL状态，并提供了替代产品信息。最后采购订单的截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如有库存，最后采购和发货日期可能延长。如无替代产品，Central愿意提供额外信息或技术数据，以帮助寻找替代来源。
[EOL]中央半导体BUX11功率晶体管产品寿命终止通知（PDN01155）
Central Semiconductor宣布，BUX11功率晶体管已停产，并进入生命终结（EOL）阶段。尽管公司努力继续生产其他制造商已宣布EOL的设备，但行业惯例是在客户需求低于最低可持续水平时停止某些设备的生产。因此，以下产品已进入EOL状态。最后采购订单的截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如有库存，最后采购和发货日期可能延长。如无替代产品，公司可提供额外信息或技术数据以协助寻找替代来源。
[EOL]DO-4、DO-5和TO-3封装的中央半导体全齐纳二极管产品寿命终止通知（PDN01151）
Central Semiconductor宣布，所有DO-4、DO-5和TO-3封装的齐纳二极管已停产，并归类为生命终结（EOL）产品。尽管公司努力继续生产其他制造商已宣布为EOL的产品，但在客户需求低于最低可持续水平时，行业惯例是停止某些产品的生产。因此，以下产品已转为EOL状态，并提供了替代产品信息。最后采购订单的截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如有库存，最后采购和发货日期可能延长。如无替代产品，公司愿意提供额外信息或技术数据以帮助寻找替代来源。
[PCN]Central Semiconductor 1.5SMC6.8A追加晶圆制造场地产品/工艺变更通知单（PCN#184）
PCN #184，通知日期：2020年5月29日，涉及SMC封装TVS二极管产品。变更包括增加额外的晶圆厂以缓解供应链风险，不影响产品规格、质量和可靠性。变更不改变设备的尺寸、形状或功能。已通过多项测试，包括耐焊震、高温存储寿命、温度循环等，无故障发生。现有库存将直至耗尽为止。
[PCN]在SMA、SMB、DIP和SMDIP情况下制造的中央半导体通用整流器产品/工艺变更通知（PCN#192）
**PCN #192**，发布日期：2020年7月29日。通知涉及通用整流器产品，包括SMA、SMB、DIP和SMDIP封装。变更内容为增加一个晶圆制造工厂，以缓解供应链风险，确保产品供应不间断。产品规格、质量和可靠性不受影响。变更不影响设备的尺寸、形状或功能。进行了多项测试以确保产品性能，包括温度循环、高温反向偏置、抗焊性等。现有库存将直到耗尽为止。受影响的零件编号包括CMR1-005M、CMR1-01M、CMR1-06M等。
[PCN]中央半导体瞬态电压抑制器（TVS）在SMAFL案例中制造产品/工艺变更通知（PCN#194）
PCN #194，发布日期：2020年7月29日。通知涉及SMAFL封装的瞬态电压抑制器（TVS）产品，因供应链风险管理，增加了一个晶圆制造工厂。此变更不影响产品规格、质量和可靠性。变更后，产品符合所有测试标准，包括温度循环、高温反向偏置、耐焊热、高温存储寿命、热冲击测试和高湿度高温反向偏置测试。现有库存将直到耗尽为止。受影响的零件编号包括C4SMAFL系列。
[EOL]Central Semiconductor CP375晶圆工艺已停产，取而代之的是CP406晶圆工艺（PCN#190）
**产品/工艺变更通知**：Centralsemi宣布其CP375芯片工艺已被CP406工艺取代，以提升制造过程控制和器件性能。CP406工艺满足所有受影响器件的电气规格。现有CP375库存将售完为止。受影响的产品编号包括CWDM3011N和CP375-CWDM3011N-CT等。
[EOL]中央半导体公司CP771晶圆工艺已停产，取而代之的是CP805晶圆工艺（PCN#191）
**PCN #191**：Central Semiconductor发布产品/工艺变更通知，宣布将CP771晶圆工艺停产，并替换为CP805晶圆工艺。此变更旨在提升制造工艺控制和器件性能，确保产品供应不间断。CP805晶圆工艺满足所有受影响器件的电气规格。受影响产品包括CXDM4060P及其变体。现有CP771库存将直至耗尽为止。
[PCN]Central Semiconductor CPR5U-040晶圆工艺产品/工艺变更通知单（PCN#185）
本通知宣布了Central Semiconductor对CPR5U-040玻璃钝化超快恢复整流器的工艺变更。变更旨在提高产品的可制造性，包括升级玻璃浆料应用设备以提高重复性和一致性，以及优化晶圆工艺以优化正向电压和反向特性。变更不影响器件的形状、尺寸或功能。变更自2020年5月15日起生效，样品可联系销售人员或制造商代表获取。经过标准评估和资格认证，变更后的产品性能与现有产品无差异。
[EOL]TO-64封装中的中央半导体全硅可控整流器产品寿命终止通知（PDN01150）
Central Semiconductor宣布，所有TO-64封装的硅控整流器产品已停产，并归类为生命终结（EOL）。尽管公司努力继续生产其他制造商已宣布为EOL的设备，但行业惯例是在客户需求低于最低可持续水平时停止某些设备的生产。因此，以下产品已转为EOL状态，并提供了替代产品信息。最后采购订单的截止日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月，可能适用最小订购量。如有库存，最后采购和发货日期可能延长。如无替代产品，公司愿意提供额外信息或技术数据以帮助寻找替代来源。
Central Semiconductor（中央半导体）小信号晶体管选型指南
Central Semiconductor serious about discrete semiconductors. Business is the pursuit of perfection in the devices we manufacture; the delivery of products; and the services provide; all the time, every time. To suit varying applications, products are available in surface mount, through-hole, and bare die.~~~~~~中央半导体认真对待分立半导体。商业是我们制造的设备追求完美；产品交付；以及所提供的服务；一直，每次。为了适应不同的应用，产品有表面安装、通孔和裸模。
Central Semiconductor（中央半导体）保护器件选型指南
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Central Semiconductor（中央半导体） 整流器选型指南
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Central Semiconductor（中央半导体） 贴片式分立半导体选型指南
This selection guide provides designers with the key electrical characteristics for each of the surface mount discrete semiconductors manufactured by Central Semiconductor. The guide is organized by device type and includes small signal transistors, MOSFETs, bipolar power transistors, diodes, protection devices, rectifiers, thyristors, and Multi Discrete Modules.~~~~~~本选择指南为设计者提供了Central Semiconductor制造的每种表面安装分立半导体的关键电气特性。该指南按器件类型组织，包括小信号晶体管、MOSFET、双极功率晶体管、二极管、保护器件、整流器、晶闸管和多离散模块。
Central Semiconductor（中央半导体）二极管选型指南
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Central Semiconductor（中央半导体）多分立元器件模块选型指南
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Central Semiconductor（中央半导体）裸芯片器件（二极管/整流器/晶体管/场效应管/晶闸管/保护器件）选型指南
使用中央半导体器件设计可持续能源技术
本文探讨了使用中央半导体器件设计可持续能源技术的可能性。文章首先介绍了可再生能源技术的发展，特别是太阳能电池板在提高功率转换效率方面的进步。接着，详细阐述了在太阳能电池网络中使用旁路二极管的重要性，以及中央半导体如何通过其广泛的器件组合来支持这一应用。文章还讨论了MOSFET在逆变器及DC-DC转换系统中的应用，以及如何通过使用碳化硅（SiC）肖特基二极管来提高DC-DC转换效率。最后，强调了中央半导体在支持可再生能源技术发展方面的承诺和产品创新。
利用肖特基桥式整流器增强Poe器件：Central Semiconductor的CBRDFSH系列能够应对挑战
本文介绍了PoE（以太网供电）技术及其在现代网络中的应用。重点介绍了Central Semiconductor的CBRDFSH系列肖特基桥式整流器，该系列产品适用于PoE设备中的电压极性校正。文章详细说明了PoE技术的工作原理、PoE系统的组成以及CBRDFSH系列产品的特点，如低电压降、高反向电压能力、低剖面设计等，强调了其在提高PoE系统效率和节省空间方面的优势。
Feature DESIGNING SEMICONDUCTOR CIRCUITS FOR TROUBLE FREE PERFORMANCE
Central Semiconductor's Super Industrial™ solutions solve designers' toughest challenges press release
MIL-PRF-38534 H类等效上屏蔽
| 测试要求 | 测试项目 | 量（接受失败数量） | 规范和测试方法 | | --- | --- | --- | --- | | 子组1：电气测试 | 100% | | | | 子组2：视觉检查 | 100% | MIL-STD-750: 2069, 2070, 2072, 2073 | | | 子组3A：内部/晶圆视觉检查 | 10（0） | MIL-STD-750: 2069, 2070, 2072, 2073 | | | 子组3B：样品组装 | 10（0） | | | | 子组4：电气测试（如数据表所示）：25°C下的直流测试 / 125°C下的直流测试 / -55°C下的直流测试（DC1-DC3） | 10（0） | | | | 子组5：线拔测试 | 10根线（0）或20根线（1） | MIL-STD-883: 2011 条件D 1小时300°C预测试烘焙（仅限双金属键合） | 备注：提供的器件将按照上述测试流程进行。任何对流程的更改必须由客户和Central Semiconductor Corp.以书面形式同意。 |
MIL-PRF-19500 JANHC等效上屏
| 测试要求 | 测试项目 | 量（接受失败数量） | 标准规范 | | --- | --- | --- | --- | | 电气测试 | 子组1：电气测试（DC1） | 100% | 如电气数据表 | | 子组2：视觉检查 | 100% | 2069, 2070, 2072, 2073 | | 子组3A：内部/晶圆视觉检查 | 10（0） | 2069, 2070, 2072, 2073 | | 子组3B：样品组装 | 至少10 | | 子组4A：温度循环 | 10（0） | 1051-C，20次循环 | | 子组4B：电气测试（DC2-DC4），（AC1） | 10（0） | 如电气数据表 | | 子组4C：HTRB | 10（0） | 1038-A，1039-A，1042-B，48小时（PNP 24小时），80%额定VR，TA = 150°C | | 子组4D：电气测试（DC5） | 10（0） | 如电气数据表 | | 子组4E：烧录/SSOP | 10（0） | 1038-B，1039-B，1042-A，160小时（二极管96小时），TJ = 最大结温 | | 子组4F：电气测试（DC6） | 10（0） | 如电气数据表 | | 子组5A：线拔 | 10线（0）或20线（1） | 2037，1小时300°C预测试烘焙（仅双金属键） | | 子组5B：晶圆剪切 | 5（0）或10（1） | 2017 | | 备注 | | | 任何更改流程必须由客户和Central Semiconductor Corp.书面同意 |
CENTRAL SEMICONDUCTOR与世强控股的代理协议
In March 2016，CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP., and SEKORM LIMITED signed a FRANCHISED DISTRIBUTOR AGREEMENT.
Package Details -CentralSemiconductor Corp.Case 106 Mechanical Drawing
蒙特利尔议定书符合性声明
本文件声明，Central Semiconductor生产的元器件符合《蒙特利尔议定书》规定，不含有、也不使用破坏臭氧层物质（ODS）。
不使用声明：放射性核素
本文件由Central Semiconductor出具，声明其生产的元器件不含有任何放射性同位素。声明由技术副总裁Joe Beck签署，联系电话为631-435-1110，日期为2023年12月6日。
不使用声明：DMF
本文件声明，Central Semiconductor生产的元器件不含有DMF（二甲基富马酸）。声明由技术副总裁Joe Beck签署，联系电话为631-435-1110，日期为2023年12月6日。
声明不使用：PFASs和PAHs
本文件声明，Central Semiconductor生产的元器件不含有以下物质：全氟和多氟烷基物质（PFASs）和多环芳烃（PAHs）。声明由技术副总裁Joe Beck于2023年12月6日签署。
不使用声明：石棉
本文件声明，Central Semiconductor生产的元器件不含有石棉、青石棉、铁石棉、蓝石棉、透闪石、角闪石或铁角闪石。声明由技术副总裁Joe Beck签署，联系电话为631-435-1110，日期为2023年12月6日。
CA 65号提案符合性声明
本文件证明Central Semiconductor生产的元器件符合《安全饮用水和有毒物质执行法案》（加州提案65）。部分元器件含有铅，但满足CA Prop65安全港要求，因为没有接触食品/饮料或吸入等暴露途径。
RoHS-符合性声明
Central Semiconductor公司遵循欧盟RoHS 2和RoHS 3指令，禁止使用铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）、多溴联苯醚（PBDE）和四种邻苯二甲酸盐。公司实施了一系列程序以确保产品符合RoHS法规，并提供了禁止物质的允许极限表。大部分产品采用无铅外层镀锡，部分产品提供无铅和锡/铅两种选项。此外，公司产品符合REACH法规，旨在提高人类健康和环境的安全。
持久性有机污染物符合性声明EU 2019/1021
本文件为欧盟2019/1021法规下的持久性有机污染物（POPs）符合性声明，证实Central Semiconductor生产的元器件不含且未使用持久性有机污染物。声明由技术副总裁Joe Beck签署，联系电话为631-435-1110，日期为2023年12月6日。
不使用声明：邻苯二甲酸盐
本文件声明，Central Semiconductor在其制造的产品中未故意使用邻苯二甲酸盐，且在任何均质物质中邻苯二甲酸盐的含量均低于RoHS II规定的0.1%（重量/重量）限制。声明由技术副总裁Joe Beck于2023年12月6日签署，联系电话为631-435-1110。
CMDSH2-3 TR PBFREE REACH-合规性声明
本文件为Central Semiconductor Corp生产的设备合规性声明，确认其产品不含有任何REACH法规定义的SVHC（高度关注物质）超过0.1%（重量比），且不含有有意释放的物质。产品符合欧盟REACH法规1907/2006以及相关附件的规定。
Multi Discrete Modules TM Central Semiconductor manufactures Multi Discrete Modules (MDMTM) to combine different technologies or monolithic die into a single package
CSP2x2机箱包装详情
本资料提供了一种名为CSP2X2的封装案例的机械图纸。图纸详细展示了封装的尺寸和几何形状，包括安装垫的尺寸。资料日期为2023年3月1日，由Central Semiconductor提供。
TO-220FP外壳封装详情
本资料提供了TO-220FP封装的元器件的包装细节。包括封装的机械图纸、引脚代码参考、包装选项（防静电涂层塑料套筒，表面电阻率大于109小于1013欧姆每平方）、套筒包装数量（50个）。资料最后注明了更新日期为2023年6月6日，并提供了Central Semiconductor的网站链接。
Discrete Semiconductor Sample Kit Bridge Rectifi ers
Electronic Mall
Brand：Central Semiconductor
Category：complementary silicon transistors
Unit Price：
In Stock： 10
Brand：Central Semiconductor
Category：Silicon Ultra-Fast Recovery Rectifiers
Unit Price：
In Stock： 0
Brand：Central Semiconductor
Category：complementary silicon transistors
Unit Price：
In Stock： 0
Brand：Central Semiconductor
Category：SURFACE MOUNT NPN SILICON RF TRANSISTOR
Unit Price：
In Stock： 0
Brand：Central Semiconductor
Category：ultra-high speed silicon switching diode
Unit Price：
In Stock： 0
Brand：Central Semiconductor
Category：ultra-high speed switching diodes
Unit Price：
In Stock： 0
Integrated Circuits
Discrete Components
Connectors & Structural Components
Assembly UnitModules & Accessories
Power Supplies & Power Modules
Electronic Materials
Instrumentation & Test Kit
Electrical Tools & Materials
Mechatronics
Processing & Customization
